| Параметры | 2 ОУ бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 0,2 мкВ/°С, 4,7 нВ/VГц, Iвх = 240 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 3 мА, Uп = 4...36 В, -40...+85°C, SOIC8 |
| Параметры | 2 ОУ бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 0,2 мкВ/°С, 4,7 нВ/VГц, Iвх = 240 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 3 мА, Uп = 4...36 В, -40...+85°C, SOIC8 |