| Параметры | 2 ОУ бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, Iвх = 3300 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, SOIC8 |
| Параметры | 2 ОУ бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, Iвх = 3300 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, SOIC8 |