Источники опорного напряжения ИОН
Спецификация
| Тип | Изг. | Параметры | Руб. | Мин | Склад | Заказ | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| REF198GRUZ | MICRO POWER 5VOLT REF IC | 226.8 | 1 | Нет | |||
| REF198GSZ | ИОН на 4,096В ±2мВ, 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, PBF | 230.4 | 1 | 10 дн | |||
| REF198FSZ | ИОН, 4.096В±10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С…+85°C, PB free | 322.2 | 1 | Нет | |||
| REF198ESZ | ИОН, 4.096В±5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С…+85°C | 414.9 | 1 | Нет | |||
| REF196GSZ | ИОН на 3.3В ±10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS | 230.4 | 1 | 10 дн | |||
| REF195GSZ | ИОН на 5В ±2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C | 230.4 | 1 | 10 дн | |||
| REF195GPZ | ИОН на 5В ±2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C | 209.7 | 1 | 10 дн | |||
| REF195ESZ | ИОН на, 5В±10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С…+85°C | 378 | 1 | 10 дн | |||
| REF194GSZ | ИОН на 4.5В ±10мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C | 230.4 | 1 | 10 дн | |||
| REF193GSZ | ИОН на 3В ±2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C | 230.4 | 1 | 10 дн | |||
| REF192GSZ | ИОН, 2.5В±10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, SOIC8, -40...+85°C, RoHS | 230.4 | 1 | 10 дн | |||
| REF192GPZ | ИОН, 2.5В±10мВ 10ppm/°C, Iвых=30mA, DIP8, -40°C - +85°C | 230.4 | 1 | Нет | |||
| REF192FSZ | ИОН, 2.5В±5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С…+85°C, PB free | 322.2 | 1 | Нет | |||
| REF192FS | ИОН, 2.5В±5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С…+85°C | 364.5 | 1 | Нет | |||
| REF192ESZ | ИОН, 2.5В±2мВ, 2ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С…+85°C | 414.9 | 1 | Нет | |||
| REF191GSZ | ИОН, 2.048В±10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С…+85°C | 230.4 | 1 | Нет | |||
| REF191ESZ | ИОН, 2.048В±2мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, , -40°С…+85°C | 414.9 | 1 | 10 дн | |||
| REF03GSZ | ИОН на 2.5В ±0.6%, SOIC8, -40°С…+85°C | 200.7 | 1 | 10 дн | |||
| REF02CSZ | SO-8 MARKED AS ``REF02C`` | 197.1 | 1 | Нет | |||
| REF02AZ | ИОН, 5В ±100мВ, DIP8, -40°C - +85°C | 4048.2 | 1 | Нет | |||
| REF01CSZ | ИОН на 10В ±100мВ, 0°C - +70°C, SOIC8 | 200.7 | 1 | Нет | |||
| REF01CPZ | ИОН на 10В ±100мВ, DIP8, -40°C - +85°C | 205.2 | 1 | Нет | |||
| ADR525BRTZ-REEL7 | 2.5V High Performance, Low Noise Shunt Reference | 150.3 | 1 | Нет | |||
| ADR445BRZ | Precision Low Dropout Ultra-low Noise | 413.1 | 1 | Нет | |||
| ADR445ARZ | Precision Low Dropout Ultra-low Noise | 413.1 | 1 | 10 дн | |||
| ADR445ARMZ | Precision Low Dropout Ultra-low Noise | 435.6 | 1 | 10 дн | |||
| ADR444BRZ | Precision Low Dropout Ultra-low Noise | 651.6 | 1 | 10 дн | |||
| ADR441BRZ | Precision Low Dropout Ultra-low Noise | 651.6 | 1 | 10 дн | |||
| ADR441ARMZ | 2.5 V High Precision, LDO XFET® References for High Performance Sigma-Delta and PulSAR® Converters | 435.6 | 1 | Нет | |||
| ADR439BRZ | 4.5 V Reference | 766.8 | 1 | 10 дн | |||
| ADR435BRZ | 5.0 V Reference | 766.8 | 1 | 10 дн | |||
| ADR435ARZ | 5.0 V Reference | 515.7 | 1 | Нет | |||
| ADR435ARM | 5.0 V Reference | 414.9 | 1 | Нет | |||
| ADR434BRZ | 4.096 V High Precision, Low Noise XFET® Reference | 766.8 | 1 | 10 дн | |||
| ADR434ARZ | 4.096 V High Precision, Low Noise XFET® Reference | 515.7 | 1 | 10 дн | |||
| ADR431BRZ | 2.5 V High Precision, Low Noise XFET® Reference SOIC8 | 766.8 | 1 | 10 дн | |||
| ADR431ARZ | 2.5 V High Precision, Low Noise XFET® Reference SOIC8 | 515.7 | 1 | Нет | |||
| ADR425BRZ | 5.0 Voltage Reference | 837.9 | 1 | Нет | |||
| ADR425ARMZ | 5.0 Voltage Reference | 517.5 | 1 | Нет | |||
| ADR423BRZ | 3.0 Voltage Reference | 852.3 | 1 | 10 дн | |||
| ADR421BRZ | ИОН на 2.500В SOIC8 | 852.3 | 1 | 10 дн | |||
| ADR421ARMZ | ИОН на 2.500В MSOP8 | 517.5 | 1 | 10 дн | |||
| ADR421ARZ | ИОН на 2.500В SOIC8 | 517.5 | 1 | 10 дн | |||
| ADR420BRZ | 2.048 Voltage Reference | 852.3 | 1 | Нет | |||
| ADR420ARZ | 2.048 Voltage Reference | 517.5 | 1 | 10 дн | |||
| ADR395BUJZ-R2 | Prec Low Drift + 5.0V REF(PB-Free) | 126.9 | 1 | Нет | |||
| ADR392AUJZ-R2 | 4.096 V Micropower, Low Noise Precision Voltage References with Shutdown | 130.5 | 1 | Нет | |||
| ADR391AUJZ-R2 | SOT23-5 Voltage Reference(PB-Free) | 130.5 | 1 | 10 дн | |||
| ADR390AUJZ-R2 | 2.048V Micropower, Low Noise Precision Voltage References with Shutdown, TSOT5 | 126.9 | 1 | Нет | |||
| ADR381ARTZ-R2 | 2.5V Voltage Reference | 169.2 | 1 | Нет | |||
| ADR380ARTZ-REEL7 | 2.048 Voltage Reference | 126.9 | 1 | 10 дн | |||
| ADR292GR | ИОН Uвых=4.096В, Uвх=2.8…15В, Iвых=5мА, 25ppm/°C, -40°C to +125°C, SOIC8 | 324 | 1 | Нет | |||
| ADR292FRZ | ИОН Uвых=4.096В, Uвх=2.8…15В, Iвых=5мА, 15ppm/°C, -40°C to +125°C, SOIC8 | 791.1 | 1 | 10 дн | |||
| ADR292ERZ | ИОН Uвых=4.096В, Uвх=2.8…15В, Iвых=5мА, 8ppm/°C, -40°C to +125°C, SOIC8 | 1002.6 | 1 | 10 дн | |||
| ADR291GRZ | ИОН Uвых=2.5В, Uвх=2.8…15В, Iвых=5мА, 25ppm/°C, -40°C to +125°C, SOIC8 | 329.4 | 1 | 10 дн | |||
| ADR291FRZ | ИОНна 2.5В ±6мВ 25ppm/°C, SOIC, -40°C...+125°C | 471.6 | 1 | 10 дн | |||
| ADR291ERZ | ИОН Uвых=2.5В, Uвх=2.8…15В, Iвых=5мА, 8ppm/°C, -40°C to +125°C, SOIC8 | 1002.6 | 1 | Нет | |||
| ADR130BUJZ-R2 | Precision Series Sub-Band Gap Voltage Reference | 292.5 | 1 | Нет | |||
| ADR127AUJZ-R2 | Precision, Micropower LDO Voltage Reference in TSOT | 178.2 | 1 | 10 дн | |||
| ADR06BRZ | 3.0V Reference | 421.2 | 1 | 10 дн | |||
| ADR03BRZ | 2.5V PrecisionBandgap REF | 413.1 | 1 | Нет | |||
| ADR03AUJZ-REEL7 | 2.5V PrecisionBandgap REF | 181.8 | 1 | Нет | |||
| ADR02BRZ | +5V PrecisionBandgap REF | 442.8 | 1 | 10 дн | |||
| ADR02ARZ | Ultra Compact Precision +5.0 V Reference | 180 | 1 | 10 дн | |||
| ADR01BRZ | ИОН на +10В | 421.2 | 1 | 10 дн | |||
| ADR01ARZ | ИОН на +10В | 180 | 1 | Нет | |||
| AD780BRZ | ИОН, 2.5V или 3.0V±1mV, –40°C to +85°C, 3 ppm/°C, SOIC8, RoHS | 1076.4 | 1 | 10 дн | |||
| AD780BNZ | ИОН на 2.5В или 3В±1мВ, | 1076.4 | 1 | 10 дн | |||
| AD780ARZ | ИОНна 2.5 или 3В ±1мВ, 7ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C | 611.1 | 1 | Есть | |||
| AD780ANZ | ИОНна 2.5 или 3В ±1мВ, 7ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C | 744.3 | 1 | 10 дн | |||
| AD688ARWZ | High Performance +/-10V Reference | 1887.3 | 1 | Нет | |||
| AD688BQ | ИОН Uвых ±10 В Точн. 2 мВ, t дрейф 3ppm/C° CERDIP16 -40...+85°C | 4902.3 | 1 | Нет | |||
| AD688AQ | ИОН Uвых ±10 В Точн. 5 мВ, t дрейф 3ppm/C° CERDIP16 -40...+85°C | 3051.9 | 1 | Нет | |||
| AD680JTZ | ИОНна 2.5В ±10мВ, | 344.7 | 1 | 10 дн | |||
| AD680JRZ | ИОН на 2.5В±10мВ, | 344.7 | 1 | 10 дн | |||
| AD680ARZ | ИОН на 2.5В, SOIC8 | 606.6 | 1 | 10 дн | |||
| AD680ANZ | Опора на 2.5В ±5мВ, | 606.6 | 1 | Нет | |||
| AD589TH | Источник опорного напряжения 1.2В | 1247.4 | 1 | Нет | |||
| AD589SH | ИОН-шунт 1,235V±5mV 5mA -55..+125°С H-02A(двухвыводной) | 971.1 | 1 | Нет | |||
| AD589KH | ИОН 1.2В, 50ppm/°C, MCAN2 | 784.8 | 1 | Нет | |||
| AD589JRZ | ИОН 1.2В, SOIC8 | 316.8 | 1 | 10 дн | |||
| AD589JH | ИОН 1.2В, MCAN2 | 797.4 | 1 | Нет | |||
| AD587JR | ИОН 10В ±5мВ, 5ppm/°C, SO8, -0°C - +70°C | 526.5 | 1 | Есть | |||
| AD587UQ | ИОН 10В ±5мВ, 5ppm/°C, CERDIP8, -55°C - +125°C | 2265.3 | 1 | Нет | |||
| AD586KRZ | ИОН 5 В, 3 мА, Uп=10,8..36 В, SOIC8 | 746.1 | 1 | 10 дн | |||
| AD586BRZ | ИОН 5,0V±2,5mV, 3mA, Uпит=10,8..36V, 5ppm/°C, -40..+85°С, SOIC-8 | 1305 | 1 | 10 дн | |||
| AD584TH | ИОН 10, 7.5, 5, 2.5 Вольт програм. напряжение TO-99 -55..+125 C | 4284.9 | 1 | 10 дн | |||
| AD584SH | ИОН 10, 7.5, 5, 2.5 Вольт програм. напряжение TO-99 -55..+125 C | 2622.6 | 1 | Нет | |||
| AD1584BRTZ-REEL7 | ИОН 4.096В±4мВ, 0.1%, 18ppm/°C, шум 110мкВ, Iвых=15мА, Iп=70мкА, Uп=4.296…12В, -40...+125°C, SOT23-3 в катушке2" | 139.5 | 1 | 10 дн | |||
| AD1583ARTZ-REEL7 | ИОН 3В±30мВ, 1%, 40ppm/°C, шум 85мкВ, Iвых=15мА, Iп=70мкА, Uп=3.2…12В, -40...+125°C, SOT23-3 в катушке7" | 100.8 | 1 | Нет | |||
| AD1582ARTZ-R2 | ИОН 2,5V ±2mV Iвых=±5mA, -40..+125°C ±50ppm/°C, SOT23 | 125.1 | 1 | 10 дн | |||
| AD1582BRTZ-REEL7 | ИОН 2,5V ±2mV Iвых=±5mA, -40..+85°C ±50ppm/°C, SOT23 | 139.5 | 1 | 10 дн | |||
| AD1580BRTZ-R2 | ИОН 1.225В±1мВ, 0.1%, 50ppm/°C, шум 20мкВ, Iвых=20мА, Iп=50мкА, Uп=3…5В, -40...+125°C, SOT23-3 в катушке2" | 180 | 1 | Нет | |||
| AD1580ARTZ-REEL7 | ИОН 1.225В±10мВ, 1%, 100ppm/°C, шум 20мкВ, Iвых=20мА, Iп=50мкА, Uп=3…5В, -40...+125°C, SOT23-3 | 134.1 | 1 | Нет |