Прецизионные усилители
Спецификация
Тип | Изг. | Параметры | Руб. | Мин | Склад | Заказ | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AD7466BRMZ | 12 BIT LOW VOLTAGE LOW POWER ADC IC | 1 | 10 дн | 322kb | |||
AD8638ARZ | 16 V Auto-Zero, Rail-to-Rail Output Operational Amplifier | 243.9 | 1 | 10 дн | |||
OP777ARZ | ОУ бипл./CMOS, вых. размах до шин питания, 0,7 МГц, 0,2 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, Iвх = 5 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,32 мА, Uп = 2,7...36 В, -40...+85°C, SOIC8 без свинца | 217.8 | 1 | Нет | |||
OP747ARZ | 4 ОУ бипл./CMOS, вых. размах до шин питания, 0,7 МГц, 0,2 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, Iвх = 5 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,32 мА, Uп = 2,7...36 В, -40...+85°C, SOIC14 | 594 | 1 | 10 дн | |||
OP727ARUZ | 2 ОУ бипл./CMOS, вых. размах до шин питания, 0,7 МГц, 0,2 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, Iвх = 5 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,32 мА, Uп = 2,7...36 В, -40...+85°C, TSSOP8 | 324 | 1 | 10 дн | |||
OP727ARZ | 2 ОУ бипл./CMOS, вых. размах до шин питания, 0,7 МГц, 0,2 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, Iвх = 5 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,32 мА, Uп = 2,7...36 В, -40...+85°C, SOIC8 | 324 | 1 | Нет | |||
OP27GSZ | ОУ бипл., 8 МГц, 2,8 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3,2 нВ/VГц, Iвх = 10 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 3 мА, Uп = 8...44 В, -40...+85°C, SOIC8 без свинца | 230.4 | 1 | 10 дн | |||
OP27GPZ | ОУ бипл., 8 МГц, 2,8 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3,2 нВ/VГц, Iвх = 10 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 3 мА, Uп = 8...44 В, -40...+85°C, PDIP8 | 230.4 | 1 | 10 дн | |||
OP462GSZ | 4 ОУ 15 МГц Uсм=325 мкВ, SOIC8 -40..+125°C | 738.9 | 1 | 10 дн | |||
OP262GSZ | 2x ОУ 15 МГц Uсм=325 мкВ, SOIC8 -40..+125°C | 300.6 | 1 | Есть | |||
OP2177ARZ | 2 ОУ бипл., 1,3 МГц, 0,7 В/мкс, Uсм = 0,015 мВ, 0,2 мкВ/°С, 7,9 нВ/VГц, Iвх = 0,5 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,4 мА, Uп = 5...36 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца | 275.4 | 1 | 10 дн | |||
OP413FSZ | 4 ОУ с реж.однопол.пит., Uп=±4…±18В, Uвых=±14В, Uсм=125мкВ, -40°C to +85°C, SOIC16 | 828.9 | 1 | Нет | |||
OP213FPZ | 2x прецизионный ОУ, 3,4МГц, DIP8, -40°C...+85°C | 385.2 | 1 | 10 дн | |||
OP213FSZ | 2 ОУ бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, 4,7 нВ/VГц, Iвх = 240 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 3 мА, Uп = 4...36 В, -40...+85°C, SOIC8 | 385.2 | 1 | Нет | |||
OP213ESZ | 2 ОУ бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 0,2 мкВ/°С, 4,7 нВ/VГц, Iвх = 240 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 3 мА, Uп = 4...36 В, -40...+85°C, SOIC8 | 1193.4 | 1 | 10 дн | |||
OP496GSZ | 4 ОУ бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, Uсм = 0,35 мВ, 1,5 мкВ/°С, 26 нВ/VГц, Iвх = 10 нА, Iвых = 4 мА, Iп = 0,045 мА, Uп = 3...15 В, -40...+125°C, SOIC14 | 488.7 | 1 | 10 дн | |||
OP296GSZ | 2 ОУ бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, Uсм = 0,35 мВ, 1,5 мкВ/°С, 26 нВ/VГц, Iвх = 10 нА, Iвых = 4 мА, Iп = 0,045 мА, Uп = 3...15 В, -40...+125°C, SOIC8, PB FREE | 336.6 | 1 | Нет | |||
OP196GSZ | ОУ, размах вх/вых.сигнала до Uп, 450кГц, SOIC8, | 270 | 1 | Нет | |||
OP484FSZ | Счетверённый прецизионный ОУ, 4МГц, R-to-R I/O, SOIC14 | 928.8 | 1 | 10 дн | |||
OP484FPZ | 4 ОУ прецизионный, Кус=1млн., Uп | 947.7 | 1 | Нет | |||
OP484ESZ | 4 ОУ прецизионный, Кус=1млн., Uп | 1457.1 | 1 | 10 дн | |||
OP284FSZ | 2x ОУ, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, SOIC8, -40°C...+125°C, PB FREE | 556.2 | 1 | 10 дн | |||
OP284ESZ | 2 ОУ, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, –40°C to +125°C, SOIC8 | 817.2 | 1 | 10 дн | |||
OP184FSZ | Прецизионный ОУ, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C | 297.9 | 1 | 10 дн | |||
OP184ESZ | ОУ с сигналом вх./вых., равным напряжению питания с реж.однопол.пит., Uп=3…±18В, Uсм=65мкВ, -40°C to +85°C, SOIC8 | 448.2 | 1 | 10 дн | |||
OP162GSZ | ОУ бипл., вых. размах до шин питания, 15 МГц, 13 В/мкс, Uсм = 0,045 мВ, 1 мкВ/°С, 9,5 нВ/VГц, Iвх = 360 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,6 мА, Uп = 2,7...12 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца | 305.1 | 1 | 10 дн | |||
OP1177ARZ | Прецизионный ОУ, 3,4МГц, SOIC8, -40°C...+85°C | 158.4 | 1 | 10 дн | |||
OP113FSZ | Прецизионн. ОУ, 3.4МГц, Uс | 324 | 1 | 10 дн | |||
OP113ESZ | ОУ с реж.однопол.пит., Uп=±4…±18В, Uвых=±14В, Uсм=125мкВ, -40°C to +85°C, SOIC8 | 628.2 | 1 | 10 дн | |||
OP113ES | ОУ с реж.однопол.пит., Uп=±4…±18В, Uвых=±14В, Uсм=125мкВ, -40°C to +85°C, SOIC8 | 709.2 | 1 | Нет | |||
AD8692ARZ | Low Cost, High Performance CMOS Single Supply Amplifier | 126.9 | 1 | 10 дн | |||
AD8661ARZ | 16V Low Cost, High Performance CMOS Rail-to-Rail Operational Amplifiers | 207 | 1 | 10 дн | |||
AD8646ARZ | Low Cost 24MHz 2.7-5V Dual CMOS AMP | 118.8 | 1 | Нет | |||
AD8642ARMZ | DUAL LOW POWER/IBIAS R-R JFET AMP | 474.3 | 1 | 10 дн | |||
AD8641ARZ | Low Power, Rail-to-Rail Output Precision JFET Amplifier, SOIC 8pin or SC70 5pin | 296.1 | 1 | 10 дн | |||
AD8629ARZ | Dual, low noise, auto zero amplifier | 280.8 | 1 | Нет | |||
AD8628ARTZ-R2 | ОУ CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 2,5 МГц, 1 В/мкс, Uсм = 0,001 мВ, 0,002 мкВ/°С, 22 нВ/VГц, Iвх = 0,03 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,85 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOT23-5 в катушке 2" | 217.8 | 1 | 10 дн | |||
AD8628ARZ | ОУ CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 2,5 МГц, 1 В/мкс, Uсм = 0,001 мВ, 0,002 мкВ/°С, 22 нВ/VГц, Iвх = 0,03 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,85 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC8 | 180 | 1 | Нет | |||
AD8627ARZ | ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 5 МГц, 5 В/мкс, Uсм = 0,05 мВ, 2,5 мкВ/°С, 17,5 нВ/VГц, Iвх = 0,00025 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,63 мА, Uп = 5...27 В, -40...+85°C, SC70-5 в катушке 13" | 316.8 | 1 | 10 дн | |||
AD8626ARMZ | 2 ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 5 МГц, 5 В/мкс, Uсм = 0,05 мВ, 2,5 мкВ/°С, 17,5 нВ/VГц, Iвх = 0,00025 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,63 мА, Uп = 5...27 В, -40...+85°C, Msoic8 | 484.2 | 1 | Нет | |||
AD8626ARZ | 2 ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 5 МГц, 5 В/мкс, Uсм = 0,05 мВ, 2,5 мкВ/°С, 17,5 нВ/VГц, Iвх = 0,00025 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,63 мА, Uп = 5...27 В, -40...+85°C, SOIC8 | 484.2 | 1 | 10 дн | |||
AD8620ARZ | 2 ОУ полев. вход, 25 МГц, 50 В/мкс, Uсм = 0,085 мВ, 0,8 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 2,5 мА, Uп = 10...27,3 В, -40...+125°C, SOIC8 | 1442.7 | 1 | Нет | |||
AD8618ARUZ | 4 ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 20 МГц, 12 В/мкс, Uсм = 0,08 мВ, 2 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 150 мА, Iп = 1,6 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, TSSOP14 | 450 | 1 | 10 дн | |||
AD8616ARZ-REEL7 | 2 ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 20 МГц, 12 В/мкс, Uсм = 0,08 мВ, 2 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 150 мА, Iп = 1,6 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца | 253.8 | 1 | Нет | |||
AD8616ARZ | 2 ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 20 МГц, 12 В/мкс, Uсм = 0,08 мВ, 2 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 150 мА, Iп = 1,6 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца | 253.8 | 1 | Нет | |||
AD8615AUJZ-REEL7 | PB free SINGLE PRECISION CMOS R-R OP AMP | 122.4 | 1 | 10 дн | |||
AD8613AUJZ-R2 | Single Low Voltage Low Power CMOS OPAMP | 101.7 | 1 | 10 дн | |||
AD8610BRZ | ОУ полев. вход, 25 МГц, 50 В/мкс, Uсм = 0,045 мВ, 0,5 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 2,5 мА, Uп = 10...27,3 В, -40...+125°C, SOIC8 | 1892.7 | 1 | 10 дн | |||
AD8610ARZ | ОУ полев. вход, 25 МГц, 50 В/мкс, Uсм = 0,085 мВ, 0,8 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 2,5 мА, Uп = 10...27,3 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца | 720.9 | 1 | 10 дн | |||
AD8609ARUZ | 4 ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 0,4 МГц, 0,1 В/мкс, Uсм = 0,012 мВ, 1 мкВ/°С, 22 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 80 мА, Iп = 0,04 мА, Uп = 1,8...6 В, -40...+125°C, TSSOP14 | 355.5 | 1 | Нет | |||
AD8609ARZ | 4 ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 0,4 МГц, 0,1 В/мкс, Uсм = 0,012 мВ, 1 мкВ/°С, 22 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 80 мА, Iп = 0,04 мА, Uп = 1,8...6 В, -40...+125°C, TSSOP14 | 355.5 | 1 | 10 дн | |||
AD8608ARZ | 4 ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 10 МГц, 5 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 1,5 мкВ/°С, 6,5 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 80 мА, Iп = 1 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC14 | 303.3 | 1 | 10 дн | |||
AD8607ARMZ | 2 ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 0,4 МГц, 0,1 В/мкс, Uсм = 0,012 мВ, 1 мкВ/°С, 22 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 80 мА, Iп = 0,04 мА, Uп = 1,8...6 В, -40...+125°C, SOIC8 | 195.3 | 1 | 10 дн | |||
AD8607ARZ | 2 ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 0,4 МГц, 0,1 В/мкс, Uсм = 0,012 мВ, 1 мкВ/°С, 22 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 80 мА, Iп = 0,04 мА, Uп = 1,8...6 В, -40...+125°C, SOIC8, PB free | 195.3 | 1 | 10 дн | |||
AD8606ARZ | 2 ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 10 МГц, 5 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 1 мкВ/°С, 6,5 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 80 мА, Iп = 1 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC8 | 230.4 | 1 | 10 дн | |||
AD8606ARMZ-REEL | 2 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 10 МГц, 5 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 1 мкВ/°С, 6,5 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 80 мА, Iп = 1 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, mSOIC8 без свинца в катушке 13". | 194.4 | 1 | Нет | |||
AD8605ARTZ-REEL7 | ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 10 МГц, 5 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 1 мкВ/°С, 6,5 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 80 мА, Iп = 1 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOT23-5 | 109.8 | 1 | 10 дн | |||
AD8604DRZ | 4 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 8,2 МГц, 5,2 В/мкс, Uсм = 1,1 мВ, 2 мкВ/°С, 18 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,68 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC14 без свинца. | 156.6 | 1 | Нет | |||
AD8604ARUZ | 4 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 8,2 МГц, 5,2 В/мкс, Uсм = 0,08 мВ, 2 мкВ/°С, 18 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,68 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, TSSOP14 без свинца. | 195.3 | 1 | Нет | |||
AD8604ARZ | 4 ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 8,2 МГц, 5,2 В/мкс, Uсм = 0,08 мВ, 2 мкВ/°С, 18 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,68 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC14 без свинца | 194.4 | 1 | 10 дн | |||
AD8603AUJZ-R2 | ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 0,4 МГц, 0,1 В/мкс, Uсм = 0,012 мВ, 1 мкВ/°С, 22 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 80 мА, Iп = 0,04 мА, Uп = 1,8...6 В, -40...+125°C, TSOT23-5 в катушке 2" | 160.2 | 1 | Нет | |||
AD8602DRZ | 2 ОУ КМОП, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 8,2 МГц, 5,2 В/мкс, Uсм = 1,1 мВ, 2 мкВ/°С, 18 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,68 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца. | 76.5 | 1 | Нет | |||
AD8602DRZ-REEL7 | 2 ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 8,2 МГц, 5,2 В/мкс, Uсм = 1,1 мВ, 2 мкВ/°С, 18 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,68 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC8 | 76.5 | 1 | Нет | |||
AD8602ARMZ | DUAL PRECISION CMOS RAIL TO RAIL OP AMP | 144 | 1 | Нет | |||
AD8602ARZ | 2 ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 8,2 МГц, 5,2 В/мкс, Uсм = 0,08 мВ, 2 мкВ/°С, 18 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,68 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC8 | 144 | 1 | 10 дн | |||
AD8601WDRTZ-REEL7 | Single Rail-to-Rail Input and Output Amplifier with Very Low Offset Voltage and Wide Bandwidths | 128.7 | 1 | Нет | |||
AD8601ARTZ-R2 | ОУ CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин питания, 8,2 МГц, 5,2 В/мкс, Uсм = 0,08 мВ, 2 мкВ/°С, 18 нВ/VГц, Iвх = 0,0002 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,68 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOT23-5 в катушке 2" | 128.7 | 1 | Нет | |||
AD8599ARZ | Dual Ultralow Distortion, Ultralow Noise Op Amp | 640.8 | 1 | 10 дн | |||
AD8554ARUZ | 4 ОУ КМОП с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 МГц, 0,4 В/мкс, Uсм = 0,001 мВ, 0,005 мкВ/°С, 42 нВ/VГц, Iвх = 0,01 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,85 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, TSSOP14 без свинца | 615.6 | 1 | 10 дн | |||
AD8554ARZ | 4 ОУ CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 МГц, 0,4 В/мкс, Uсм = 0,001 мВ, 0,005 мкВ/°С, 42 нВ/VГц, Iвх = 0,01 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,85 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC14 | 615.6 | 1 | 10 дн | |||
AD8552ARUZ | 2 ОУ КМОП с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 МГц, 0,4 В/мкс, Uсм = 0,001 мВ, 0,005 мкВ/°С, 42 нВ/VГц, Iвх = 0,01 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,85 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, TSSOP8 без свинца | 349.2 | 1 | 10 дн | |||
AD8552ARZ-REEL7 | 2 ОУ КМОП с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 МГц, 0,4 В/мкс, Uсм = 0,001 мВ, 0,005 мкВ/°С, 42 нВ/VГц, Iвх = 0,01 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,85 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца в катушке 7" | 342.9 | 1 | Нет | |||
AD8552ARZ | 2 ОУ CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 МГц, 0,4 В/мкс, Uсм = 0,001 мВ, 0,005 мкВ/°С, 42 нВ/VГц, Iвх = 0,01 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,85 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца | 349.2 | 1 | 10 дн | |||
AD8551ARZ-REEL7 | ОУ CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 МГц, 0,4 В/мкс, Uсм = 0,001 мВ, 0,005 мкВ/°С, 42 нВ/VГц, Iвх = 0,01 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,85 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца в катушке 7" | 221.4 | 1 | Нет | |||
AD8551ARZ | ОУ CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 МГц, 0,4 В/мкс, Uсм = 0,001 мВ, 0,005 мкВ/°С, 42 нВ/VГц, Iвх = 0,01 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,85 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца | 221.4 | 1 | 10 дн | |||
AD8515ARTZ-R2 | ОУ CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 5 МГц, 2,7 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 4 мкВ/°С, 20 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,3 мА, Uп = 1,8...6 В, -40...+125°C, SOT23-5 в катушке 2" | 72 | 1 | 10 дн | |||
AD8513ARZ | 4 ОУ полев., 8 МГц, 20 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 1,7 мкВ/°С, 7,6 нВ/VГц, Iвх = 0,021 нА, Iвых = 54 мА, Iп = 2 мА, Uп = 9...36 В, -40...+125°C, SOIC14 | 640.8 | 1 | 10 дн | |||
AD8513ARUZ | PB free AD8513ARU | 640.8 | 1 | Нет | |||
AD8512ARZ | 2 ОУ полев., 8 МГц, 20 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 1,7 мкВ/°С, 7,6 нВ/VГц, Iвх = 0,021 нА, Iвых = 54 мА, Iп = 2 мА, Uп = 9...36 В, -40...+125°C, SOIC8 | 283.5 | 1 | Нет | |||
AD8510ARZ | ОУ полев., 8 МГц, 20 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 1,7 мкВ/°С, 7,6 нВ/VГц, Iвх = 0,021 нА, Iвых = 54 мА, Iп = 2 мА, Uп = 9...36 В, -40...+125°C, SOIC8 | 188.1 | 1 | 10 дн | |||
AD845JNZ | ОУ полев. вход, 16 МГц, 100 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 1,5 мкВ/°С, 12 нВ/VГц, Iвх = 0,5 нА, Iвых = 15 мА, Iп = 12 мА, Uп = 9,5...36 В, 0...+70°C, PDIP8 | 670.5 | 1 | 10 дн | |||
AD824ARZ-14 | 4 ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 2 МГц, 2 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 2 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,004 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 0,7 мА, Uп = 2,7...36 В, -40...+85°C, SOIC14 без свинца | 850.5 | 1 | 10 дн | |||
AD824AR-14 | 4 ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 2 МГц, 2 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 2 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,004 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 0,7 мА, Uп = 2,7...36 В, -40...+85°C, SOIC14 | 860.4 | 1 | Нет | |||
AD822BRZ | 2 ОУ, 1.8MHz, Iпот.=1.6мA, -40°C...+85°C, SOIC8. | 738.9 | 1 | 10 дн | |||
AD822ARZ | 2 ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм = 0,4 мВ, 2 мкВ/°С, 13 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 0,7 мА, Uп = 3...36 В, -40...+85°C, SOIC8. | 496.8 | 1 | 10 дн | |||
AD822ARMZ | DUAL SNGL SPLY PREC``N AMP | 496.8 | 1 | 10 дн | |||
AD822ANZ | 2 ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм = 0,4 мВ, 2 мкВ/°С, 13 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 0,7 мА, Uп = 3...36 В, -40...+85°C, PDIP8 | 504 | 1 | 10 дн | |||
AD820BRZ | ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм = 0,3 мВ, 2 мкВ/°С, 13 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 0,7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, SOIC8 | 480.6 | 1 | 10 дн | |||
AD820ARZ | ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм = 0,4 мВ, 2 мкВ/°С, 13 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 0,7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, SOIC8 | 327.6 | 1 | 10 дн | |||
AD820ARMZ-R7 | Single-Supply, Rail-to-Rail, Low Power FET-Input Op Amp | 344.7 | 1 | Нет | |||
AD820ARMZ | Single-Supply, Rail-to-Rail, Low Power FET-Input Op Amp | 344.7 | 1 | Нет | |||
AD820ANZ | ОУ полев. вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм = 0,4 мВ, 2 мкВ/°С, 13 нВ/VГц, Iвх = 0,002 нА, Iвых = 20 мА, Iп = 0,7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, PDIP8, RoHS | 334.8 | 1 | 10 дн | |||
AD795JRZ | ОУ полев. вход, 1,6 МГц, 1 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 3 мкВ/°С, 9 нВ/VГц, Iвх = 0,001 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 1,3 мА, Uп = 10...36 В, 0...+70°C, SOIC8 | 604.8 | 1 | Нет | |||
AD744JNZ | ОУ полев. вход, 13 МГц, 75 В/мкс, Uсм = 0,3 мВ, 5 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,03 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 3,5 мА, Uп = 9...36 В, 0...+70°C, PDIP8. | 421.2 | 1 | Нет | |||
ADA4851-1YRJZ-R2 | Low Cost Voltage Feedback RR Single | 141.3 | 1 | Нет | |||
ADA4851-2YRMZ | Low Cost Voltage Feedback RR Dual | 141.3 | 1 | Нет | |||
ADA4841-2YRZ | Dual Low Power, Low Noise and Distortion, Rail-to-Rail Output Amplifier | 441.9 | 1 | 10 дн | |||
ADA4841-2YRMZ | Dual Low Power, Low Noise and Distortion, Rail-to-Rail Output Amplifier | 429.3 | 1 | Нет | |||
ADA4841-1YRJZ-R2 | Low Power, Low Noise and Distortion, Rail-to-Rail Output Amplifier | 305.1 | 1 | 10 дн |